| 先月USAで発売されたZireは、白い樹脂ボディがとても新鮮だ。早速秋葉原の店頭で触ってみたが、持ってみたカンジもよく手に馴染む。 キョーレツに欲しくなったが、残念な事に日本語版は出ないというウワサ。さらにメモリが2MBしかないのでJ-OSを入れると残りはわずかだ。 ここは8MBにアップグレードするしかない! と、大胆にもJ-OSの作者である山田さんに頼み込み、実験台もとい人柱になってもらった。(山田さん、ありがとうです) |
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数日後Zireが届くと、まずはメニュー画面からコマンド[i]でメモリ容量を確認。1.8MBとある。2MBないじゃん。こりゃノーマルではますます厳しい。 |
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裏蓋のビスをトルクスで緩める。サイズはT6。Palm m100より一回り大きい、NOKIAのケータイNM502iと同じサイズである。 |
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ビスは2本だけ、あとはパッチン爪を外して裏蓋を分離しようとしたら、あらら圧電ブザーのリードでくっついてる。結局この姿で作業を続ける事にした。 |
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内蔵のリチウムイオン電池も基板に直付けである。徹底したコストダウンの結果か。 流石にこのまま作業を続けるわけにいかないので、+側の半田付けを外す。 |
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使用されているメモリはHYUNDAI のGM71V18163CLT6 1Mx16bit(=2MB) EDO D-RAMである。これならm100にも使った4Mx16bit EDO D-RAMが使える。 となると、移動すべき０Ωチップ抵抗もメモリの同じピンに繋がっているはず。 Palm m100のメモリ増設と同じ要領で、カッターを基板と水平にしてメモリの足をカットする。勢い余ってパターンを傷つけない為の基本だ。 |
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片側全部カットしたら、写真のように持ち上げて5-6回上下させると簡単に反対側の足が折れて取り外せる。 |
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基板上に残ったメモリの足は半田ゴテで取り除き、さらに半田吸引線で余分な半田を吸い取る。仕上はアルコール等の溶剤を付けた綿棒でお掃除。 |
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| PalmV , m100もメモリ増設の際は０Ωチップ抵抗を移動した。今回はPalm m100を参考に、D-RAMの同じピンに繋がっているチップ抵抗を探した。結果は、下記の通り、 R28 -> R60 R73 -> R76 R74 -> R75 と分かった。 |
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チップ抵抗をの移動は、2本の半田ゴテを使うと作業しやすい。 この後、向きを間違えないよう8MBのメモリを半田付けする。全ての足を半田付けしたらルーペでブリッジ等の半田付け不良がないか仕上がりを確認する。 |
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いよいよ電源投入。リチウムイオン電池のリードを仮に繋げてみる。今回は一発で起動画面が現れた。でもメモリサイズを確認するまで安心はできない。はやるココロを抑えつつリチウムイオン電池のリードを半田付けし、とりあえず蓋のパッチンをはめ直した。 |
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初めて電源を入れるときのデジタイザ校正を行い、メニュー画面からコマンド[i]でメモリ容量を確認したところ、無事7.7MBと表示された。KAIZO成功である。 これで安心してビス2本を締められる。この時、反時計方向に回してボディとビスの螺旋の山谷を合わせてから時計方向に回す事を忘れないように。 さて8MBにKAIZOされたZireを何に使うか? 試しに手持ちのUS版PalmV(8MB改)のHotsync名でHotsyncしたところ、Palm Vに入っていたJ-OS5とCJK-OSの日本語と中国語環境がそのまま再現された。コイツはCOOL ! だ。 しかし残念だがこのSuper Zireは山田さんのモノ。 別れを惜しみつつ、山田さん宛に発送したのであった。 |
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[11月18日追記] さて、東ラ技研で具体的なアップグレードの方法を公開した頃、南米からもアップグレード成功の報告が届いた。その仕上がりは驚嘆に値する。 さらにN7**Cの16MB化報告も・・・（つづく） |
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8MB EDO D-RAM入手先 shop brando.com.hk(香港)：8MB Ram Chip 若松通商(秋葉原)本店２F： PalmTOP 用 増設メモリー Zire 8MBアップグレードサービス マスター（日本）Palm Zireの2MB→8MB メモリアップグレード PDA工房（日本）Palm Zire メモリ増設サービス PDA tech center (Nederland) Palm Zire 8 Mb memory upgrade |
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